（原标题：2023年碳化硅“驰骋”：扩产与出海加速，时代生态待完善）
21世纪经济报谈记者骆轶琪 广州报谈
不同于发展相对训练、有明确周期特征的硅芯片，被称为“第三代半导体”之一的碳化硅（SiC）芯片商场正处在发展前期，因此即便2023年是半导体行业下行周期，围绕该边界的关系公司都有昭着居品放量和时代竞速的进展。
例如来说，碳化硅衬底主要供应商天岳先进在（688234.SH）2023年产量完结大幅提高，年内碳化硅衬底坐褥量为26.2万片，销售量22.6万片；而在2022年坐褥量为7.1万片，销售量6.4万片；2021年坐褥量6.7万片，销售量5.7万片。可见商场的高景气度。
这背后是越来越多国产碳化硅供应商与外洋碳化硅器件厂商缔结合约，并在商场份额层面站稳脚跟。新能源汽车和光伏两大商场需求也强势支抓该边界驱驰前行。
除了基于发展还是相对训练的6英寸时代工艺，在民众巨头带动下，面向8英寸时代的竞争也在不绝。
TrendForce集邦斟酌分析师龚瑞骄对21世纪经济报谈记者暗示，当今国内在8英寸碳化硅方面合座仍处于研发考证阶段，其中衬底材料进展较快已有小批量供货，有望在2～3年内步入量产；器件方面，芯联集成等训练且具限制的晶圆厂也已运行布局8英寸，但这对征战、材料和工艺时代的整合条目极高，仍需大批时辰来考证、造成生态。
投产加速在碳化硅产业链中，天岳先进由于旗下业务均来自碳化硅衬底供应，其功绩更具备代表性。不外刻下产业链公司正处在积极扩产阶段，由此将对关系公司利润等财务进展带来一定影响。
2023财年，天岳先进完结买卖总收入12.51亿元，同比加多199.90%；归母净利润为赔本4，572.05万元，归母扣非净利润为赔本1.13亿元，赔本同比收窄。
公司方面暗示，收获于导电型居品产能产量抓续提高，居品委用才气增强、毛利率高涨，已集结七季度保抓营收增长，在2023年第三、第四季度还是完结单季盈利。
纪念历史，2021年天岳先进本已完结盈利，但在2022年出现赔本。公司公告讲明，往时是因为进行了产能治愈，迟缓加大导电型衬底产能产量，因此导致临时性产能产量下落，影响到居品收入和毛利率进展。
当今碳化硅居品主要包括导电型和半绝缘型两种类型，诀别在于，通过导电型碳化硅衬底，不错制成碳化硅同质外延片，股民被进一步制成的功率器件多用于新能源汽车、大功率输变电等边界；半绝缘型碳化硅衬底上制得的多是异质外延片，尔后被制成的器件多用在通讯边界。比拟之下，导电型居品的应用商场更为开阔。
天岳先进方面称，2023年加速了上海临港工场投产进程，原标的临港工场2026年30万片导电型衬底的产能筹谋提前完结，将不绝推动第二阶段产能提高筹谋。在电动汽车、光伏新能源、储能、充电桩等末端需求带动下，产业发展进入策略机遇期。
左证日本巨擘调研机构富士经济叙述测算，2023年民众导电型碳化硅衬底材料商场占有率前三的公司有1家来自中国，天岳先进逾越高意(Coherent)跃居民众第二。
其他产业链厂商多为同期部署了硅基和碳化硅基功率半导体关系居品，其中在2023财年，碳化硅关系细分业务先后完结限制量产或商用成为主要趋势。
士兰微（600460.SH）财报显现，2023年公司主买卖务收入同比高涨12.28%，主要系公司IPM（智能功率）模块、IGBT器件、PIM模块、快收复管、SiC器件、32位MCU等居品的买卖收入增长较快。
年内公司加速推动“士兰明镓SiC功率器件芯片坐褥线”神气建立。罢休当今，士兰明镓已造成月产6000片6吋SiC MOS芯片的坐褥才气，展望2024年底将造成月产12000片6吋SiC MOS芯片的坐褥才气。
公告指出，基于公司自主研发的II代SiC-MOSFET芯片坐褥的电动汽车主电机驱动模块已通过部分客户测试，在2024年一季度运行完结批量坐褥和委用，展望全年应用于汽车主驱的碳化硅PIM模块销售额将达10亿元东谈主民币。
芯联集成（688469.SH）公告显现，公司从2021年起参加SiC MOSFET芯片、模组封装时代的研发和产能建立。当今用于车载主驱逆变器的SiC MOSFET器件和模块于2023年完结量产，罢休2023年12月，在线配资平台公司6英寸SiC MOSFET产线已完结月产出5000片以上，2024年公司还将标的建成国内首条8英寸SiC MOSFET实际线。
吉祥证券指出，跟着SiC头部厂商纷繁选择扩产，以及坐褥工艺、经由抓续优化改善，刻下SiC价钱运行抓续下探，在量增+价降的双重驱动下，SiC上车速率昭着加速。
应用拓展由于碳化硅自己具有耐高温、耐高压、高热导率等原生上风，其正越来越多被应用到新能源汽车上。尤其刻下，800V快充平台正成为一种主流惩办决策；此外，受绿色低碳发展趋势所推动，碳化硅在光伏边界应用也在扩大。
刻下碳化硅应用濒临的其中一大挑战在于本钱，此前特斯拉秘书将大幅减少碳化硅用量就被以为有这层考量。但有业内东谈主士向21世纪经济报谈记者分析，刻下处在产业发展初期，其单价竟然偏高。但弗成从单个元器件角度看碳化硅的应用，而是其将为整车带来系统本钱的权臣下落，包括续航加多、电板期骗率提高级。
吉祥证券也以为，尽管刻下SiC-MOSFET本钱约为Si-IGBT的3倍，然则左证英飞凌测算，SiC-MOSFET不错减少6%～10%电力损耗，电板本钱从简将逾越SiC器件加多的本钱，最高不错从简6%的轮廓系统本钱。同期，SiC上风在800V平台中将进一步放大，以小鹏G9为例，其800V高压SiC平台相较400V平台续航提高5%，可完结充电5分钟续航逾越200Km。
这侧面讲明了2023年有诸多整车厂在加速采用碳化硅器件，甚而国内供应商也与外洋厂商开启多种配合。
天岳先进财报显现，公司先后与英飞凌、博世缔结了恒久供应契约；此外，民众前十大功率半导体企业逾越50%都是公司客户。公司向英飞凌提供6英寸导电型衬底和晶棒，占英飞凌需求的两位数水平，同期公司还将助力英飞凌向8英寸居品转型。
斯达半导公告指出，2023年，公司外洋新能源汽车商场赢得遑急进展，新增多个IGBT/SiC MOSFET主电机适度器神气定点，外洋新能源汽车商场呈现快速增长趋势。
光伏边界亦然遑急应用商场。吉祥证券指出，降本增效成为SiC功率器件在光伏边界的主要驱能源。在光伏发电应用中，使用SiC材料可将调度成果可从96%提高至99%以上，能量损耗缩短50%以上，征战轮回寿命提高50倍。2021年民众光伏碳化硅功率器件商场限制为1.54亿好意思元，展望2027年将加多至4.23亿好意思元，2021年-2027年的复合增长率为18%。
在时代迭代方面，当今民众头部厂商也在积极竞速更大尺寸、更优良率的碳化硅居品供应。
产业间起头完结8英寸碳化硅居品量产的是民众巨头Wolfspeed，尔后英飞凌、意法半导体也在该边界快速发展。业界遍及以为，在6英寸方面，国内与外洋之间的差距正在缓缓磨蹭。虽然，6英寸和8英寸碳化硅居品在较永劫辰内将并存发展。
天岳先进指出，公司已完结8英寸导电型衬底、6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等居品的批量供应，主要客户包括国表里电力电子器件、5G 通讯、汽车电子等边界客户。
吉祥证券以为，从时代参数来看，刻下国产碳化硅晶圆厂在4英寸/6英寸碳化硅衬底质地上已到国际先进水平，但合座与国际厂商仍存在5-8年时代代差，主要差距为：良率低、本钱高；衬底扩径相对过期。
华泰证券则暗示，碳化硅行业有两大趋势：2024年衬底从国产应用到出海，国内头部衬底厂6英寸性能并列外洋大厂，以价换量念念路明确，国产衬底在外洋大厂中占比提高；2024年或是8英寸元年，刻下8英寸劣势等方面向6英寸看皆，良率、长晶时辰、一致性等方面有待提高，征战厂也响应8英寸下订或提货节拍昭着加速，展望8英寸本年或将完结从1到10冲突。