三星还展示了为下一代NAND的无数目量产而准备的低温蚀刻和钼千里积等改变期间 IT之家 2 月 26 日音问,三星电子 DS 部门 CTO 宋在赫(송재혁)在上周于旧金山举行的海外固态电路会议(ISSCC)上发表主题演讲,并展示了其晶圆键合、低温蚀刻和钼利用等期间。 据先容,这些期间将从 400 层的 NAND 闪存期间运行利用,而且他还提到,“键合期间可用于(在 NAND 区域)竣事 1000 多层(堆叠)”。 IT之家注:晶圆键合是指离别制造外围晶圆和单位晶圆,然后将它们键合在一皆酿成单个半