早在四年前,长江存储就领先将搀杂键合工夫欺诈于3D NAND制造 快科技2月24日音信,据韩国媒体报说念,三星近日与长江存储签署了3D NAND搀杂键合专利许可条约,从第10代V-NAND(V10)驱动,将使用长江存储的专利工夫,极端是在“搀杂键合”工夫方面。 三星筹画在2025年下半年量产下一代V10 NAND,展望堆叠层数将达到420至430层,当层数逾越400层时,底层外围电路的压力会显赫加多,影响芯片的可靠性。 为了搞定这一问题,三星决定在V10 NAND中引入W2W搀杂键合工夫,该工夫